Panel Solar Fotovoltaico 645 W Eficiencia 23.88 Tecnología HPBC 2.0 Full Black Degradación 0.35 Anual LR772HVB645M
SKU: LR772HVB645M Clave: 261063
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Descripción del Producto
Panel solar fotovoltaico monocristalino de 645 W con tecnología HPBC 2.0 (Heterojunction Passivated Back Contact) de segunda generación. Diseño full black que elimina los busbars visibles en la superficie frontal, logrando una estética uniforme orientada a integraciones arquitectónicas premium en instalaciones residenciales y comerciales. La arquitectura back contact ubica todos los contactos eléctricos en la parte posterior de la celda, reduciendo la sombra frontal y maximizando la captación de irradiancia. Eficiencia del módulo del 23.88% con coeficiente de temperatura de -0.26%/°C, optimizado para operación en climas cálidos. Degradación garantizada de 0.35% anual desde el año 2 hasta el año 30. Wafers Tairay con resistencia a la flexión 16% superior al estándar convencional.
Características Generales
- Potencia máxima: 645 W con tolerancia 0~3%
- Eficiencia del módulo: 23.88%
- Tecnología: HPBC 2.0 (Heterojunction Passivated Back Contact)
- Diseño: Full black, sin busbars visibles
- Tipo de celda: Monocristalino
- Coeficiente de temperatura de potencia: -0.26%/°C
- Degradación anual: 0.35% (año 2 al 30)
- Wafers Tairay: 16% más resistentes a la flexión
Desempeño Eléctrico
- Potencia máxima: 645 W
- Tolerancia de potencia: 0~3%
- Eficiencia del módulo: 23.88%
- Coeficiente de temperatura de potencia: -0.26%/°C
- Degradación anual: 0.35% (año 2 al 30)
Tecnología y Materiales
- Tecnología celular: HPBC 2.0
- Arquitectura: Back contact (contactos posteriores)
- Tipo de celda: Monocristalino
- Diseño superficial: Full black
- Wafers: Tairay (16% más resistentes a flexión)
Aplicaciones y Ventajas
- Integración arquitectónica premium
- Estética uniforme sin busbars visibles
- Máxima captación solar por ausencia de sombra frontal
- Optimizado para climas cálidos
- Mayor durabilidad estructural del wafer
Panel solar fotovoltaico monocristalino de 645 W con tecnología HPBC 2.0 (Heterojunction Passivated Back Contact) de segunda generación. Diseño full black que elimina los busbars visibles en la superficie frontal, logrando una estética uniforme orientada a integraciones arquitectónicas premium en instalaciones residenciales y comerciales. La arquitectura back contact ubica todos los contactos eléctricos en la parte posterior de la celda, reduciendo la sombra frontal y maximizando la captación de irradiancia. Eficiencia del módulo del 23.88% con coeficiente de temperatura de -0.26%/°C, optimizado para operación en climas cálidos. Degradación garantizada de 0.35% anual desde el año 2 hasta el año 30. Wafers Tairay con resistencia a la flexión 16% superior al estándar convencional.
Características Generales
- Potencia máxima: 645 W con tolerancia 0~3%
- Eficiencia del módulo: 23.88%
- Tecnología: HPBC 2.0 (Heterojunction Passivated Back Contact)
- Diseño: Full black, sin busbars visibles
- Tipo de celda: Monocristalino
- Coeficiente de temperatura de potencia: -0.26%/°C
- Degradación anual: 0.35% (año 2 al 30)
- Wafers Tairay: 16% más resistentes a la flexión
Desempeño Eléctrico
- Potencia máxima: 645 W
- Tolerancia de potencia: 0~3%
- Eficiencia del módulo: 23.88%
- Coeficiente de temperatura de potencia: -0.26%/°C
- Degradación anual: 0.35% (año 2 al 30)
Tecnología y Materiales
- Tecnología celular: HPBC 2.0
- Arquitectura: Back contact (contactos posteriores)
- Tipo de celda: Monocristalino
- Diseño superficial: Full black
- Wafers: Tairay (16% más resistentes a flexión)
Aplicaciones y Ventajas
- Integración arquitectónica premium
- Estética uniforme sin busbars visibles
- Máxima captación solar por ausencia de sombra frontal
- Optimizado para climas cálidos
- Mayor durabilidad estructural del wafer
Ficha técnica:
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