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Transistor De Potencia Mosfet Para 175 530 Mhz 70 Watt 125 Vcc RD70HUP2.

Modelo: RD70HUP2 Clave: 205069


12 meses sin intereses
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TESTIMONIOS


OSCAR GARCIA (INDUSTRIAL HOME COMERCIALIZADORA Y DISTRIBUIDORA)

Lo recomiendo ampliamente, proveedores con una amplia gama de productos pocos como ellos gracias.

hace 1 día 11:54:12 AM



MARIANA OCHARAN ()

Excelente servicio, desde la calidad de sus productos, precios y sobre todo la amabilidad con la que atienden y resuelven dudas. A pesar de que todas mis compras han sido a distancia, siempre he tenido el respaldo y apoyo de Global, recomendado!

hace 1 día 11:49:14 AM



VICTOR HUGO ACOSTA CALZADA (ZAPOPAN GAS SA DE CV)

Excelente servicio, precio y calidad. Recibí atención y orientación inmediata, así como cotización al momento. Satisfacción total de la compra

hace 3 días 18:23:27 PM



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Descripción del Producto


  1.  

    Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcd.

    DESCRIPCIÓN

    RD70HUP2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.

    CARACTERISTICAS

    1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete

    2. Empleando el paquete de molde

    3. Alta potencia y alta eficiencia

    Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz

    Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz

    4. Diodo integrado de protección de la puerta.

    APLICACION

    Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.

 

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcd.

DESCRIPCIÓN

RD70HUP2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.

CARACTERISTICAS

1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete

2. Empleando el paquete de molde

3. Alta potencia y alta eficiencia

Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz

Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz

4. Diodo integrado de protección de la puerta.

APLICACION

Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.




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